Отложить
Отложено
Сравнить
В сравнении
303 ₽
В наличии на складе №9
-
+
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен в розничных магазинах
- Описание
-
Тип: IGBT
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В: 650
Максимальный ток коллектора (Ic), А: 100
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: 1,65
Пороговое напряжение ЗЭ (Vge(th)), В: 5,3
Потери на переключение, мДж: 2,6
Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
Заряд затвора, нКл: 183
Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*33*18/225
Вес брутто: 8.98
Корпус: TO-247
Способ монтажа: Through Hole
Описание: IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat) 1.65 В, TO-247
